型号:MT9VDDF6472Y-335J1 | 类别:存储器 - 模块 | 制造商:Micron Technology Inc |
封装:184-RDIMM | 描述:MODULE DDR SDRAM 512MB 184RDIMM |
详细参数
类别 | 存储器 - 模块 |
---|---|
描述 | MODULE DDR SDRAM 512MB 184RDIMM |
系列 | - |
制造商 | Micron Technology Inc |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 512MB |
速度 | 333MT/s |
特点 | - |
封装/外壳 | 184-RDIMM |
供应商
济南誉光微电电子科技有限公司 | 王小姐0531-88891493 |
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0804(2010 公制),凸起
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0805(2012 公制)
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存储器 - 模块
Micron Technology Inc
184-DIMM
MODULE DDR SDRAM 512MB 184-DIMM
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Murata Electronics North America
0805(2012 公制)
CAP CER 0.47UF 25V 10% X7R 0805
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0804(2010 公制),凸起
RES ARRAY 0.0 OHM 4 RES 0804
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IC BATTERY MON SNGL SOT23-6
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Emerson Network Power/Embedded Power
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- GRM21BR71H104KA01K
陶瓷
Murata Electronics North America
0805(2012 公制)
CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 0805
- MNR04M0APJ000
网络、阵列
Rohm Semiconductor
0804(2010 公制),凸起
RES ARRAY 0.0 OHM 4 RES 0804